SI4561DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Numer części
SI4561DY-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
3W, 3.3W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
640pF @ 20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21137 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4561DY-T1-GE3
SI4561DY-T1-GE3 Części elektroniczne
SI4561DY-T1-GE3 Obroty
SI4561DY-T1-GE3 Dostawca
SI4561DY-T1-GE3 Dystrybutor
SI4561DY-T1-GE3 Tabela danych
SI4561DY-T1-GE3 Zdjęcia
SI4561DY-T1-GE3 Cena
SI4561DY-T1-GE3 Oferta
SI4561DY-T1-GE3 Najniższa cena
SI4561DY-T1-GE3 Szukaj
SI4561DY-T1-GE3 Nabywczy
SI4561DY-T1-GE3 Chip