SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Numer części
SI2333DDS-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1275pF @ 6V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14078 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3 Części elektroniczne
SI2333DDS-T1-GE3 Obroty
SI2333DDS-T1-GE3 Dostawca
SI2333DDS-T1-GE3 Dystrybutor
SI2333DDS-T1-GE3 Tabela danych
SI2333DDS-T1-GE3 Zdjęcia
SI2333DDS-T1-GE3 Cena
SI2333DDS-T1-GE3 Oferta
SI2333DDS-T1-GE3 Najniższa cena
SI2333DDS-T1-GE3 Szukaj
SI2333DDS-T1-GE3 Nabywczy
SI2333DDS-T1-GE3 Chip