SI2301-TP
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Numer części
SI2301-TP
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
880pF @ 6V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38051 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI2301-TP
SI2301-TP Części elektroniczne
SI2301-TP Obroty
SI2301-TP Dostawca
SI2301-TP Dystrybutor
SI2301-TP Tabela danych
SI2301-TP Zdjęcia
SI2301-TP Cena
SI2301-TP Oferta
SI2301-TP Najniższa cena
SI2301-TP Szukaj
SI2301-TP Nabywczy
SI2301-TP Chip