SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Numer części
SI2312BDS-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Rozpraszanie mocy (maks.)
750mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40291 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3 Części elektroniczne
SI2312BDS-T1-E3 Obroty
SI2312BDS-T1-E3 Dostawca
SI2312BDS-T1-E3 Dystrybutor
SI2312BDS-T1-E3 Tabela danych
SI2312BDS-T1-E3 Zdjęcia
SI2312BDS-T1-E3 Cena
SI2312BDS-T1-E3 Oferta
SI2312BDS-T1-E3 Najniższa cena
SI2312BDS-T1-E3 Szukaj
SI2312BDS-T1-E3 Nabywczy
SI2312BDS-T1-E3 Chip