Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFZ10PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Numer części
IRFZ10PBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9753 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFZ10PBF
IRFZ10PBF Części elektroniczne
IRFZ10PBF Obroty
IRFZ10PBF Dostawca
IRFZ10PBF Dystrybutor
IRFZ10PBF Tabela danych
IRFZ10PBF Zdjęcia
IRFZ10PBF Cena
IRFZ10PBF Oferta
IRFZ10PBF Najniższa cena
IRFZ10PBF Szukaj
IRFZ10PBF Nabywczy
IRFZ10PBF Chip