Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF510STRL
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Numer części
IRF510STRL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
180pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39851 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF510STRL
IRF510STRL Części elektroniczne
IRF510STRL Obroty
IRF510STRL Dostawca
IRF510STRL Dystrybutor
IRF510STRL Tabela danych
IRF510STRL Zdjęcia
IRF510STRL Cena
IRF510STRL Oferta
IRF510STRL Najniższa cena
IRF510STRL Szukaj
IRF510STRL Nabywczy
IRF510STRL Chip