Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TPH3202LD
MOSFET N-CH 600V 9A PQFN
Numer części
TPH3202LD
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
4-PowerDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PQFN (8x8)
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
760pF @ 480V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
8V
Vgs (maks.)
±18V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41433 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TPH3202LD
TPH3202LD Części elektroniczne
TPH3202LD Obroty
TPH3202LD Dostawca
TPH3202LD Dystrybutor
TPH3202LD Tabela danych
TPH3202LD Zdjęcia
TPH3202LD Cena
TPH3202LD Oferta
TPH3202LD Najniższa cena
TPH3202LD Szukaj
TPH3202LD Nabywczy
TPH3202LD Chip