Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK9A90E,S4X

TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Numer części
TK9A90E,S4X
Seria
π-MOSVIII
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8394 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X Części elektroniczne
TK9A90E,S4X Obroty
TK9A90E,S4X Dostawca
TK9A90E,S4X Dystrybutor
TK9A90E,S4X Tabela danych
TK9A90E,S4X Zdjęcia
TK9A90E,S4X Cena
TK9A90E,S4X Oferta
TK9A90E,S4X Najniższa cena
TK9A90E,S4X Szukaj
TK9A90E,S4X Nabywczy
TK9A90E,S4X Chip