TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Numer części
TK6P65W,RQ
Producent/marka
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
390pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48548 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ Części elektroniczne
TK6P65W,RQ Obroty
TK6P65W,RQ Dostawca
TK6P65W,RQ Dystrybutor
TK6P65W,RQ Tabela danych
TK6P65W,RQ Zdjęcia
TK6P65W,RQ Cena
TK6P65W,RQ Oferta
TK6P65W,RQ Najniższa cena
TK6P65W,RQ Szukaj
TK6P65W,RQ Nabywczy
TK6P65W,RQ Chip