Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK65E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 148A TO220
Numer części
TK65E10N1,S1X
Producent/marka
Seria
U-MOSVIII-H
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
192W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
81nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5400pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13427 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK65E10N1,S1X
TK65E10N1,S1X Części elektroniczne
TK65E10N1,S1X Obroty
TK65E10N1,S1X Dostawca
TK65E10N1,S1X Dystrybutor
TK65E10N1,S1X Tabela danych
TK65E10N1,S1X Zdjęcia
TK65E10N1,S1X Cena
TK65E10N1,S1X Oferta
TK65E10N1,S1X Najniższa cena
TK65E10N1,S1X Szukaj
TK65E10N1,S1X Nabywczy
TK65E10N1,S1X Chip