Kup Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM) MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Numer części

TK3A65DA(STA4,QM)

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

π-MOSVII

Stan części

Active

Opakowanie

Tube

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

150°C (TJ)

Typ mocowania

Through Hole

Opakowanie/etui

TO-220-3 Full Pack

Pakiet urządzeń dostawcy

TO-220SIS

Rozpraszanie mocy (maks.)

35W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

650V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.51 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

11nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

490pF @ 25V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 13848 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

TK3A60DA(Q,M)