Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Numer części
TK32E12N1,S1X
Producent/marka
Seria
U-MOSVIII-H
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
98W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000pF @ 60V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27210 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK32E12N1,S1X
TK32E12N1,S1X Części elektroniczne
TK32E12N1,S1X Obroty
TK32E12N1,S1X Dostawca
TK32E12N1,S1X Dystrybutor
TK32E12N1,S1X Tabela danych
TK32E12N1,S1X Zdjęcia
TK32E12N1,S1X Cena
TK32E12N1,S1X Oferta
TK32E12N1,S1X Najniższa cena
TK32E12N1,S1X Szukaj
TK32E12N1,S1X Nabywczy
TK32E12N1,S1X Chip