Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Numer części
TK17E80W,S1X
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2050pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25518 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TK17E80W,S1X
TK17E80W,S1X Części elektroniczne
TK17E80W,S1X Obroty
TK17E80W,S1X Dostawca
TK17E80W,S1X Dystrybutor
TK17E80W,S1X Tabela danych
TK17E80W,S1X Zdjęcia
TK17E80W,S1X Cena
TK17E80W,S1X Oferta
TK17E80W,S1X Najniższa cena
TK17E80W,S1X Szukaj
TK17E80W,S1X Nabywczy
TK17E80W,S1X Chip