Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK14G65W,RQ

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Numer części
TK14G65W,RQ
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13171 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ Części elektroniczne
TK14G65W,RQ Obroty
TK14G65W,RQ Dostawca
TK14G65W,RQ Dystrybutor
TK14G65W,RQ Tabela danych
TK14G65W,RQ Zdjęcia
TK14G65W,RQ Cena
TK14G65W,RQ Oferta
TK14G65W,RQ Najniższa cena
TK14G65W,RQ Szukaj
TK14G65W,RQ Nabywczy
TK14G65W,RQ Chip