Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Numer części
TK14C65W,S1Q
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9211 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q Części elektroniczne
TK14C65W,S1Q Obroty
TK14C65W,S1Q Dostawca
TK14C65W,S1Q Dystrybutor
TK14C65W,S1Q Tabela danych
TK14C65W,S1Q Zdjęcia
TK14C65W,S1Q Cena
TK14C65W,S1Q Oferta
TK14C65W,S1Q Najniższa cena
TK14C65W,S1Q Szukaj
TK14C65W,S1Q Nabywczy
TK14C65W,S1Q Chip