Kup Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SSM6N35FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Numer części

SSM6N35FE,LM

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

Stan części

Active

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

temperatura robocza

150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

SOT-563, SOT-666

Moc - maks

150mW

Pakiet urządzeń dostawcy

ES6 (1.6x1.6)

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkcja FET

Logic Level Gate

Napięcie dren-źródło (Vdss)

20V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

9.5pF @ 3V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 37425 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane