Kup Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Numer części

SSM6H19NU,LF

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

U-MOSVII-H

Stan części

Active

Opakowanie

Cut Tape (CT)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

6-UDFN Exposed Pad

Pakiet urządzeń dostawcy

6-UDFN (2x2)

Rozpraszanie mocy (maks.)

1W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

40V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

130pF @ 10V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

1.8V, 8V

Vgs (maks.)

±12V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 22456 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SSM6322ACPZ-R2