Kup Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SSM6K202FE,LF

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Numer części

SSM6K202FE,LF

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

Stan części

Active

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

SOT-563, SOT-666

Pakiet urządzeń dostawcy

ES6 (1.6x1.6)

Rozpraszanie mocy (maks.)

500mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.5A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

270pF @ 10V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

1.8V, 4V

Vgs (maks.)

±12V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 29755 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane