Kup Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SSM6J501NU,LF

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Numer części

SSM6J501NU,LF

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

U-MOSVI

Stan części

Active

Opakowanie

Cut Tape (CT)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

6-WDFN Exposed Pad

Pakiet urządzeń dostawcy

6-UDFNB (2x2)

Rozpraszanie mocy (maks.)

1W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

20V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

29.9nC @ 4.5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2600pF @ 10V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

1.5V, 4.5V

Vgs (maks.)

±8V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 20190 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane