Kup Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE(TE85L,F X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SSM6J214FE(TE85L,F

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

Numer części

SSM6J214FE(TE85L,F

Producent/marka

Toshiba Semiconductor and Storage

Seria

U-MOSVI

Stan części

Active

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

150°C

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

SOT-563, SOT-666

Pakiet urządzeń dostawcy

ES6

Rozpraszanie mocy (maks.)

500mW (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

3.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

560pF @ 15V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

1.8V, 10V

Vgs (maks.)

±12V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 9009 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane