Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
CSD25310Q2T

CSD25310Q2T

20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Numer części
CSD25310Q2T
Producent/marka
Seria
NexFET™
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-WDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
6-WSON (2x2)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.9W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23.9 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.7nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
655pF @ 10V
Vgs (maks.)
±8V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30563 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe CSD25310Q2T
CSD25310Q2T Części elektroniczne
CSD25310Q2T Obroty
CSD25310Q2T Dostawca
CSD25310Q2T Dystrybutor
CSD25310Q2T Tabela danych
CSD25310Q2T Zdjęcia
CSD25310Q2T Cena
CSD25310Q2T Oferta
CSD25310Q2T Najniższa cena
CSD25310Q2T Szukaj
CSD25310Q2T Nabywczy
CSD25310Q2T Chip