CSD22202W15
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Numer części
CSD22202W15
Producent/marka
Seria
NexFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
9-UFBGA, DSBGA
Pakiet urządzeń dostawcy
9-DSBGA
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1390pF @ 4V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
-6V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28407 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe CSD22202W15
CSD22202W15 Części elektroniczne
CSD22202W15 Obroty
CSD22202W15 Dostawca
CSD22202W15 Dystrybutor
CSD22202W15 Tabela danych
CSD22202W15 Zdjęcia
CSD22202W15 Cena
CSD22202W15 Oferta
CSD22202W15 Najniższa cena
CSD22202W15 Szukaj
CSD22202W15 Nabywczy
CSD22202W15 Chip