Kup Taiwan Semiconductor Corporation TSM6NB60CZ C0G MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

TSM6NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Numer części

TSM6NB60CZ C0G

Producent/marka

Taiwan Semiconductor Corporation

Seria

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tube

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Through Hole

Opakowanie/etui

TO-220-3

Pakiet urządzeń dostawcy

TO-220

Rozpraszanie mocy (maks.)

40W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

600V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

872pF @ 25V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 28829 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane