Kup Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS RLG MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

TSM600P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP

Numer części

TSM600P03CS RLG

Producent/marka

Taiwan Semiconductor Corporation

Seria

Stan części

Active

Opakowanie

Cut Tape (CT)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pakiet urządzeń dostawcy

8-SOP

Rozpraszanie mocy (maks.)

2.1W (Tc)

Typ FET

P-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

560pF @ 15V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 52165 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane