Kup Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

TSM60N900CH C5G

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

Numer części

TSM60N900CH C5G

Producent/marka

Taiwan Semiconductor Corporation

Seria

Stan części

Not For New Designs

Opakowanie

Tube

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Through Hole

Opakowanie/etui

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pakiet urządzeń dostawcy

TO-251 (IPAK)

Rozpraszanie mocy (maks.)

50W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

600V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

480pF @ 100V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 23464 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane