TSM200N03DPQ33 RGG
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Numer części
TSM200N03DPQ33 RGG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
20W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
345pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32542 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG Części elektroniczne
TSM200N03DPQ33 RGG Obroty
TSM200N03DPQ33 RGG Dostawca
TSM200N03DPQ33 RGG Dystrybutor
TSM200N03DPQ33 RGG Tabela danych
TSM200N03DPQ33 RGG Zdjęcia
TSM200N03DPQ33 RGG Cena
TSM200N03DPQ33 RGG Oferta
TSM200N03DPQ33 RGG Najniższa cena
TSM200N03DPQ33 RGG Szukaj
TSM200N03DPQ33 RGG Nabywczy
TSM200N03DPQ33 RGG Chip