Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STS20N3LLH6

STS20N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Numer części
STS20N3LLH6
Producent/marka
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1690pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49220 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe STS20N3LLH6
STS20N3LLH6 Części elektroniczne
STS20N3LLH6 Obroty
STS20N3LLH6 Dostawca
STS20N3LLH6 Dystrybutor
STS20N3LLH6 Tabela danych
STS20N3LLH6 Zdjęcia
STS20N3LLH6 Cena
STS20N3LLH6 Oferta
STS20N3LLH6 Najniższa cena
STS20N3LLH6 Szukaj
STS20N3LLH6 Nabywczy
STS20N3LLH6 Chip