STS10N3LH5
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Numer części
STS10N3LH5
Producent/marka
Seria
STripFET™ V
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.6nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
475pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±22V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37938 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STS10N3LH5
STS10N3LH5 Części elektroniczne
STS10N3LH5 Obroty
STS10N3LH5 Dostawca
STS10N3LH5 Dystrybutor
STS10N3LH5 Tabela danych
STS10N3LH5 Zdjęcia
STS10N3LH5 Cena
STS10N3LH5 Oferta
STS10N3LH5 Najniższa cena
STS10N3LH5 Szukaj
STS10N3LH5 Nabywczy
STS10N3LH5 Chip