Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STP80N6F6
MOSFET N-CH 60V TO-220
Numer części
STP80N6F6
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
122nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7480pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17672 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STP80N6F6
STP80N6F6 Części elektroniczne
STP80N6F6 Obroty
STP80N6F6 Dostawca
STP80N6F6 Dystrybutor
STP80N6F6 Tabela danych
STP80N6F6 Zdjęcia
STP80N6F6 Cena
STP80N6F6 Oferta
STP80N6F6 Najniższa cena
STP80N6F6 Szukaj
STP80N6F6 Nabywczy
STP80N6F6 Chip