Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STP100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Numer części
STP100N10F7
Producent/marka
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
61nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4369pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10741 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STP100N10F7
STP100N10F7 Części elektroniczne
STP100N10F7 Obroty
STP100N10F7 Dostawca
STP100N10F7 Dystrybutor
STP100N10F7 Tabela danych
STP100N10F7 Zdjęcia
STP100N10F7 Cena
STP100N10F7 Oferta
STP100N10F7 Najniższa cena
STP100N10F7 Szukaj
STP100N10F7 Nabywczy
STP100N10F7 Chip