STD150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Numer części
STD150N3LLH6
Producent/marka
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
D-Pak
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21910 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STD150N3LLH6
STD150N3LLH6 Części elektroniczne
STD150N3LLH6 Obroty
STD150N3LLH6 Dostawca
STD150N3LLH6 Dystrybutor
STD150N3LLH6 Tabela danych
STD150N3LLH6 Zdjęcia
STD150N3LLH6 Cena
STD150N3LLH6 Oferta
STD150N3LLH6 Najniższa cena
STD150N3LLH6 Szukaj
STD150N3LLH6 Nabywczy
STD150N3LLH6 Chip