STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Numer części
STD100N10F7
Producent/marka
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
61nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4369pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 22475 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STD100N10F7
STD100N10F7 Części elektroniczne
STD100N10F7 Obroty
STD100N10F7 Dostawca
STD100N10F7 Dystrybutor
STD100N10F7 Tabela danych
STD100N10F7 Zdjęcia
STD100N10F7 Cena
STD100N10F7 Oferta
STD100N10F7 Najniższa cena
STD100N10F7 Szukaj
STD100N10F7 Nabywczy
STD100N10F7 Chip