STB50N25M5
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Numer części
STB50N25M5
Producent/marka
Seria
MDmesh™ V
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1700pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32723 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB50N25M5
STB50N25M5 Części elektroniczne
STB50N25M5 Obroty
STB50N25M5 Dostawca
STB50N25M5 Dystrybutor
STB50N25M5 Tabela danych
STB50N25M5 Zdjęcia
STB50N25M5 Cena
STB50N25M5 Oferta
STB50N25M5 Najniższa cena
STB50N25M5 Szukaj
STB50N25M5 Nabywczy
STB50N25M5 Chip