Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Numer części
RW1C026ZPT2CR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Not For New Designs
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
6-WEMT
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1250pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32200 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe RW1C026ZPT2CR
RW1C026ZPT2CR Części elektroniczne
RW1C026ZPT2CR Obroty
RW1C026ZPT2CR Dostawca
RW1C026ZPT2CR Dystrybutor
RW1C026ZPT2CR Tabela danych
RW1C026ZPT2CR Zdjęcia
RW1C026ZPT2CR Cena
RW1C026ZPT2CR Oferta
RW1C026ZPT2CR Najniższa cena
RW1C026ZPT2CR Szukaj
RW1C026ZPT2CR Nabywczy
RW1C026ZPT2CR Chip