RUE002N02TL
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Numer części
RUE002N02TL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Not For New Designs
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-75, SOT-416
Pakiet urządzeń dostawcy
EMT3
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
25pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 2.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17915 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RUE002N02TL
RUE002N02TL Części elektroniczne
RUE002N02TL Obroty
RUE002N02TL Dostawca
RUE002N02TL Dystrybutor
RUE002N02TL Tabela danych
RUE002N02TL Zdjęcia
RUE002N02TL Cena
RUE002N02TL Oferta
RUE002N02TL Najniższa cena
RUE002N02TL Szukaj
RUE002N02TL Nabywczy
RUE002N02TL Chip