Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RQ7E110AJTCR
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Numer części
RQ7E110AJTCR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 6567 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR Części elektroniczne
RQ7E110AJTCR Obroty
RQ7E110AJTCR Dostawca
RQ7E110AJTCR Dystrybutor
RQ7E110AJTCR Tabela danych
RQ7E110AJTCR Zdjęcia
RQ7E110AJTCR Cena
RQ7E110AJTCR Oferta
RQ7E110AJTCR Najniższa cena
RQ7E110AJTCR Szukaj
RQ7E110AJTCR Nabywczy
RQ7E110AJTCR Chip