RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Numer części
RQ6E030ATTCR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT6 (SC-95)
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.4nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
240pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
-
Vgs (maks.)
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10537 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RQ6E030ATTCR
RQ6E030ATTCR Części elektroniczne
RQ6E030ATTCR Obroty
RQ6E030ATTCR Dostawca
RQ6E030ATTCR Dystrybutor
RQ6E030ATTCR Tabela danych
RQ6E030ATTCR Zdjęcia
RQ6E030ATTCR Cena
RQ6E030ATTCR Oferta
RQ6E030ATTCR Najniższa cena
RQ6E030ATTCR Szukaj
RQ6E030ATTCR Nabywczy
RQ6E030ATTCR Chip