Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RND030N20TL
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Numer części
RND030N20TL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Not For New Designs
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
CPT3
Rozpraszanie mocy (maks.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
870 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
270pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47601 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RND030N20TL
RND030N20TL Części elektroniczne
RND030N20TL Obroty
RND030N20TL Dostawca
RND030N20TL Dystrybutor
RND030N20TL Tabela danych
RND030N20TL Zdjęcia
RND030N20TL Cena
RND030N20TL Oferta
RND030N20TL Najniższa cena
RND030N20TL Szukaj
RND030N20TL Nabywczy
RND030N20TL Chip