RK3055ETL
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Numer części
RK3055ETL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
CPT3
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
520pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43258 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RK3055ETL
RK3055ETL Części elektroniczne
RK3055ETL Obroty
RK3055ETL Dostawca
RK3055ETL Dystrybutor
RK3055ETL Tabela danych
RK3055ETL Zdjęcia
RK3055ETL Cena
RK3055ETL Oferta
RK3055ETL Najniższa cena
RK3055ETL Szukaj
RK3055ETL Nabywczy
RK3055ETL Chip