RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
Numer części
RE1C001ZPTL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-89, SOT-490
Pakiet urządzeń dostawcy
EMT3F (SOT-416FL)
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36916 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RE1C001ZPTL
RE1C001ZPTL Części elektroniczne
RE1C001ZPTL Obroty
RE1C001ZPTL Dostawca
RE1C001ZPTL Dystrybutor
RE1C001ZPTL Tabela danych
RE1C001ZPTL Zdjęcia
RE1C001ZPTL Cena
RE1C001ZPTL Oferta
RE1C001ZPTL Najniższa cena
RE1C001ZPTL Szukaj
RE1C001ZPTL Nabywczy
RE1C001ZPTL Chip