RD3T050CNTL1
NCH 200V 5A POWER MOSFET
Numer części
RD3T050CNTL1
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Rozpraszanie mocy (maks.)
29W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
760 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25034 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RD3T050CNTL1
RD3T050CNTL1 Części elektroniczne
RD3T050CNTL1 Obroty
RD3T050CNTL1 Dostawca
RD3T050CNTL1 Dystrybutor
RD3T050CNTL1 Tabela danych
RD3T050CNTL1 Zdjęcia
RD3T050CNTL1 Cena
RD3T050CNTL1 Oferta
RD3T050CNTL1 Najniższa cena
RD3T050CNTL1 Szukaj
RD3T050CNTL1 Nabywczy
RD3T050CNTL1 Chip