Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RD3P100SNTL1
NCH 100V 10A POWER MOSFET
Numer części
RD3P100SNTL1
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41506 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RD3P100SNTL1
RD3P100SNTL1 Części elektroniczne
RD3P100SNTL1 Obroty
RD3P100SNTL1 Dostawca
RD3P100SNTL1 Dystrybutor
RD3P100SNTL1 Tabela danych
RD3P100SNTL1 Zdjęcia
RD3P100SNTL1 Cena
RD3P100SNTL1 Oferta
RD3P100SNTL1 Najniższa cena
RD3P100SNTL1 Szukaj
RD3P100SNTL1 Nabywczy
RD3P100SNTL1 Chip