RD3L050SNTL1
NCH 60V 5A POWER MOSFET
Numer części
RD3L050SNTL1
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Rozpraszanie mocy (maks.)
15W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
109 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
290pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21948 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RD3L050SNTL1
RD3L050SNTL1 Części elektroniczne
RD3L050SNTL1 Obroty
RD3L050SNTL1 Dostawca
RD3L050SNTL1 Dystrybutor
RD3L050SNTL1 Tabela danych
RD3L050SNTL1 Zdjęcia
RD3L050SNTL1 Cena
RD3L050SNTL1 Oferta
RD3L050SNTL1 Najniższa cena
RD3L050SNTL1 Szukaj
RD3L050SNTL1 Nabywczy
RD3L050SNTL1 Chip