QS8M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Numer części
QS8M12TCR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Moc - maks
1.5W
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23185 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe QS8M12TCR
QS8M12TCR Części elektroniczne
QS8M12TCR Obroty
QS8M12TCR Dostawca
QS8M12TCR Dystrybutor
QS8M12TCR Tabela danych
QS8M12TCR Zdjęcia
QS8M12TCR Cena
QS8M12TCR Oferta
QS8M12TCR Najniższa cena
QS8M12TCR Szukaj
QS8M12TCR Nabywczy
QS8M12TCR Chip