Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RJK1001DPP-E0#T2

RJK1001DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Numer części
RJK1001DPP-E0#T2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FP
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
147nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10000pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11209 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe RJK1001DPP-E0#T2
RJK1001DPP-E0#T2 Części elektroniczne
RJK1001DPP-E0#T2 Obroty
RJK1001DPP-E0#T2 Dostawca
RJK1001DPP-E0#T2 Dystrybutor
RJK1001DPP-E0#T2 Tabela danych
RJK1001DPP-E0#T2 Zdjęcia
RJK1001DPP-E0#T2 Cena
RJK1001DPP-E0#T2 Oferta
RJK1001DPP-E0#T2 Najniższa cena
RJK1001DPP-E0#T2 Szukaj
RJK1001DPP-E0#T2 Nabywczy
RJK1001DPP-E0#T2 Chip