Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
QJD1210SA2
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Numer części
QJD1210SA2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Bulk
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
Module
Moc - maks
415W
Pakiet urządzeń dostawcy
Module
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 34mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
330nC @ 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8200pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26068 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe QJD1210SA2
QJD1210SA2 Części elektroniczne
QJD1210SA2 Obroty
QJD1210SA2 Dostawca
QJD1210SA2 Dystrybutor
QJD1210SA2 Tabela danych
QJD1210SA2 Zdjęcia
QJD1210SA2 Cena
QJD1210SA2 Oferta
QJD1210SA2 Najniższa cena
QJD1210SA2 Szukaj
QJD1210SA2 Nabywczy
QJD1210SA2 Chip