FK4B01100L1
CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
Numer części
FK4B01100L1
Producent/marka
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 85°C (TA)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
4-XFLGA, CSP
Pakiet urządzeń dostawcy
XLGA004-W-0808-RA01
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 236µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
275pF @ 10V
Vgs (maks.)
±8V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20714 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe FK4B01100L1
FK4B01100L1 Części elektroniczne
FK4B01100L1 Obroty
FK4B01100L1 Dostawca
FK4B01100L1 Dystrybutor
FK4B01100L1 Tabela danych
FK4B01100L1 Zdjęcia
FK4B01100L1 Cena
FK4B01100L1 Oferta
FK4B01100L1 Najniższa cena
FK4B01100L1 Szukaj
FK4B01100L1 Nabywczy
FK4B01100L1 Chip