FJ6K01010L
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Numer części
FJ6K01010L
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-SMD, Flat Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
WSMini6-F1-B
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35961 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe FJ6K01010L
FJ6K01010L Części elektroniczne
FJ6K01010L Obroty
FJ6K01010L Dostawca
FJ6K01010L Dystrybutor
FJ6K01010L Tabela danych
FJ6K01010L Zdjęcia
FJ6K01010L Cena
FJ6K01010L Oferta
FJ6K01010L Najniższa cena
FJ6K01010L Szukaj
FJ6K01010L Nabywczy
FJ6K01010L Chip