Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STDV3055L104T4G

STDV3055L104T4G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Numer części
STDV3055L104T4G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta), 48W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
440pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
±15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24653 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe STDV3055L104T4G
STDV3055L104T4G Części elektroniczne
STDV3055L104T4G Obroty
STDV3055L104T4G Dostawca
STDV3055L104T4G Dystrybutor
STDV3055L104T4G Tabela danych
STDV3055L104T4G Zdjęcia
STDV3055L104T4G Cena
STDV3055L104T4G Oferta
STDV3055L104T4G Najniższa cena
STDV3055L104T4G Szukaj
STDV3055L104T4G Nabywczy
STDV3055L104T4G Chip