NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Numer części
NVD5890NLT4G
Producent/marka
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4760pF @ 25V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32429 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NVD5890NLT4G
NVD5890NLT4G Części elektroniczne
NVD5890NLT4G Obroty
NVD5890NLT4G Dostawca
NVD5890NLT4G Dystrybutor
NVD5890NLT4G Tabela danych
NVD5890NLT4G Zdjęcia
NVD5890NLT4G Cena
NVD5890NLT4G Oferta
NVD5890NLT4G Najniższa cena
NVD5890NLT4G Szukaj
NVD5890NLT4G Nabywczy
NVD5890NLT4G Chip